タイプ: | CMOSセンサー |
---|---|
出力信号タイプ: | デジタル式 |
生産工程: | 半導体集積 |
材料: | Mixture |
認定: | RoHS指令 |
カスタマイズ: | 非カスタマイズ |
検証されたビジネスライセンスを持つサプライヤ
パラメータ | 記号 | 最小 | 最大 | 単位 |
保管温度 | TS | -25 | 85 | º C |
供給電圧 | VCC | 2. | 16 | V |
出力カットオフ電圧 | VO (オフ) | - | 12. | V |
磁気誘導 | b. | 無制限 | 無制限 | マウント |
出力電流 | IO | - | 20 | mA |
パラメータ | 記号 | 最小 | 最大 | 単位 |
供給電圧 | VCC | 2.5 | 12. | V |
動作温度 | TA | -25 | 85 | º C |
出力電流 | IO | - | 8. | mA |
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 標準 | 最大 | 単位 |
出力の低レベル | ボリューム | VCC1 = 4.5 、 VCC2 = 12V 、 IO = 25mA 、 B ≥ BOP | 0.2 | 0.4. | V |
出力の高レベル | VOH | VCC1 = 4.5 、 VCC2 = 12V 、 IO = 25mA 、 B ≤ BRP | 11.5. | 12. | V |
出力リーク電流 | IOH | VCC2 = 24V 、 VCC1 断線 | 0.1 | 10. | μ A |
供給電流 | ICC | VCC1 = 24V 、 Vo 断線 | 3.5. | 8. | mA |
出力立ち上がりエッジ時間 | TR | VCC1 = VCC2 = 12V 、 RL = 1.2k Ω 、 CL = 20pF |
125 | 150 | μ s |
出力フォールエッジ時間 | TF | 60 | 80 | μ s |
パラメータ | 記号 | 最小 | 標準 | 最大 |
操作点( Operate Point ) | BOP | - | 8. | 12. |
リリースポイント | BRP | 3. | 4.5. | - |
ヒステリシス 操作点 - リリース点 |
BH BOP-BRP |
3. | 5. | 8. |